電子半導體行業特點：產業規模大、細分行業多、技術門檻高

      對于半導體芯片產業來說，主要可以分為設計、制造和封測三個關鍵環節。近年來，隨著國家對于半導體產業的重視和扶持，國產半導體廠商在這個三個環節都取得了長足的進步。特別是在設計和封測這兩塊，國內已有一些廠商進入到了全球領先行列。但是在半導體制造這塊，與國外廠商之間的差距依然很大。而對于本就處于弱勢的國產半導體制造來說，其所需的關鍵設備，半導體材料和零部件，中國更是極為薄弱。

      CMP 全稱為 Chemical Mechanical Polishing，即化學機械拋光，是普通拋光技術的高端升級版本。集成電路制造過程好比建房子，每搭建一層樓層都需要讓樓層足夠水平齊整，才能在其上方繼續搭建另一層樓，否則樓面就會高低不平，影響整體可靠性，而這個使樓層整體平整的技術在集成電路中制造中用的就是化學機械拋光技術。

      CMP拋光是集成電路芯片制造過程中實現晶圓全局均勻平坦化的關鍵工藝，化學機械拋光液是化學機械拋光工藝過程中使用的主要化學材料。碧菲CMP納米粒子拋光液已在130-7nm技術節點實現技術突破，可以應用于國內8英寸和12英寸主流晶圓產線。根據拋光對象不同，碧菲CMP納米粒子拋光液包括銅及銅阻擋層系列、鎢拋光液、硅拋光液、氧化物拋光液等產品。

      碧菲BFCMP通過納米級粒子的物理研磨作用與拋光液的化學腐蝕作用的有機結合，對集成電路器件表面進行平滑處理，并使之高度平整的工藝技術。當前集成電路中主要是通過 CMP 工藝，對晶圓表面進行精度打磨，并可到達全局平整落差 50A°-1000A°（相當于原子級 5-100nm）超高平整度。

CMP 主要運用在在單晶硅片拋光及多層布線金屬互連結構工藝中的層間平坦化。集成電路制造需要在單晶硅片上執行一系列的物理和化學操作，同時隨著器件特征尺寸的縮小，需要更多的生產工序，其中 90nm 以下的制程生產工藝均在 400 個工序以上。就拋光研磨工藝而言，不同制程的產品需要不同的拋光流程，28nm制程需要12-13次CMP，進入10nm制程后CMP次數將翻倍，達到25-30次。